图像传感器及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110593957.1
申请日：
2021-05-28
公开(公告)号：
CN113380844B
公开(公告)日：
2025-07-04
发明(设计)人：
林铭祥 陈昀澔 吴国裕 卢泽华
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H10F39/18
IPC分类号：
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-04 授权 授权
共 50 条
[1]   图像传感器及其形成方法 [P]. 
林铭祥 ;
陈昀澔 ;
吴国裕 ;
卢泽华 .
中国专利 :CN113380844A ,2021-09-10
[2]   图像传感器及其形成方法 [P]. 
高桥诚司 .
中国专利 :CN112563294A ,2021-03-26
[3]   图像传感器及其形成方法 [P]. 
杨开云 ;
陈春元 ;
李静宜 .
中国专利 :CN113314551A ,2021-08-27
[4]   图像传感器及其形成方法 [P]. 
高桥诚司 .
中国专利 :CN112563294B ,2025-03-11
[5]   图像传感器及其形成方法 [P]. 
吴尉壮 ;
杨敦年 ;
洪丰基 ;
刘人诚 ;
施俊吉 ;
周耕宇 ;
江彦廷 ;
杨明宪 ;
陈春元 .
中国专利 :CN110838499B ,2020-02-25
[6]   图像传感器器件及其形成方法 [P]. 
洪丰基 ;
杨敦年 ;
刘人诚 ;
吴尉壮 ;
陈彦瑜 ;
余治宽 .
中国专利 :CN113078175A ,2021-07-06
[7]   图像传感器器件及其形成方法 [P]. 
洪丰基 ;
杨敦年 ;
刘人诚 ;
吴尉壮 ;
陈彦瑜 ;
余治宽 .
中国专利 :CN113078175B ,2024-03-22
[8]   图像传感器及其形成方法 [P]. 
余治宽 ;
洪丰基 ;
许文义 ;
游秉程 ;
刘人诚 ;
杨敦年 .
中国专利 :CN119923003A ,2025-05-02
[9]   图像传感器、像素传感器与其形成方法 [P]. 
高桥诚司 .
中国专利 :CN111584527A ,2020-08-25
[10]   图像传感器的形成方法、CMOS图像传感器及其形成方法 [P]. 
郑有宏 ;
丁世泛 ;
江彦廷 ;
杜友伦 ;
蔡敏瑛 .
中国专利 :CN110867460B ,2020-03-06
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