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INGAAS/INALAS HOT-ELECTRON TRANSISTOR OPERATING AT 77 K
被引:1
作者
:
REDDY, UK
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0
机构:
UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
REDDY, UK
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1
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CHEN, J
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UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
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CHEN, J
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KOPP, W
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KOPP, W
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PENG, CK
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MUI, D
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MUI, D
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MORKOC, H
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UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
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MORKOC, H
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1
]
机构
:
[1]
UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1986年
/ 33卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1986.22831
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1865 / 1866
页数:2
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