共 2 条
- [1] SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO
- [2] SILICON IMPURITY DISTRIBUTION AS REVEALED BY PULSED MOS C-V MEASUREMENTS[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1971, 118 (01) : 138 - +VANGELDER, WNICOLLIAN, EH
LIMITATION OF PULSED CAPACITANCE TECHNIQUE OF MEASURING IMPURITY PROFILES
被引：12
作者：
LEBLANC, AR
KLEPPINGER, DD
WALSH, JP
机构：
关键词：
D O I：
10.1149/1.2404400
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页数：1
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