TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE PIEZORESISTANCE OF HIGH-PURITY SILICON AND GERMANIUM

被引:160
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作者
MORIN, FJ
GEBALLE, TH
HERRING, C
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1957年 / 105卷 / 02期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.105.525
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
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页码:525 / 539
页数:15
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