EFFECT OF ELASTIC ANISOTROPY ON CONTRAST FIELDS IN RADIOTOPOGRAPHY OF OXIDE FILM EDGES ON SILICON

被引：2

作者：

WATTENBERG, U

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1107/S0021889868005273

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

页码：184 / +

页数：1

共 6 条

BLECH, IA ;

MEIERAN, ES .

[2]

BLECH IA, 1965, J APPL PHYS, V36, P3162

[3]

HOWARD JK, 1967, ADVANCES XRAY ANALYS, V11

[4]

RENNINGER M, 1964, Z NATURFORSCH PT A, VA 19, P783

SCHWUTTK.GH .

[6] X-RAY STRESS TOPOGRAPHY OF THIN FILMS ON GERMANIUM AND SILICON [J].

SCHWUTTK.GH ;

HOWARD, JK .