CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SMALL SIZE MOS-TRANSISTORS

被引：17
作者：
HOENEISEN, B
MEAD, CA
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1972年 / ED19卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1972.17428
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：382 / +
页数：1
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共 3 条
[1]   CONDUCTANCE OF MOS TRANSISTORS IN SATURATION [J].
FROHMANB.D ;
GROVE, AS .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1969, ED16 (01) :108-+
[2]   COMPUTER-AIDED DESIGN AND CHARACTERIZATION OF DIGITAL MOS INTEGRATED CIRCUITS [J].
FROHMANB.D ;
VADASZ, L .
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1969, SC 4 (02) :57-&
[3]  
HOENEISEN B, TO BE PUBLISHED
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