ELECTRONIC-STRUCTURE OF SIO2 AND THE PROGRESSIVE OXIDATION OF A SILICON SURFACE BY AUGER LINESHAPE ANALYSIS

被引：0

作者：

JENNISON, DR ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA NATL LABS,ALBURQUERQUE,NM

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1981年 / 26卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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