THERMOELECTRIC POWER OF HEAVILY DOPED P-TYPE GASB CRYSTALS

被引：0

作者：

BURDIYAN, II

SKRIPKIN, VA

EMELYANE.OV

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1972年 / 5卷 / 11期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：1896 / &

共 15 条

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