2-STEP PHOTOCONDUCTIVITY BY DISLOCATIONS IN SILICON

被引：12

作者：

KOS, HJ ^{[1
]}

NEUBERT, D ^{[1
]}

机构：

[1] INST BERLIN,PHYS TECH BUNDESANSTALT,BERLIN,FED REP GER

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1977年 / 44卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210440127

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：259 / 264

页数：6

共 15 条

[1] DISLOCATIONS AS TRAPS FOR HOLES IN GERMANIUM [J].

FIGIELSK.T .

PHYSICA STATUS SOLIDI, 1965, 9 (02) :555-&

[2] THEORY OF CARRIER RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN GERMANIUM [J].

FIGIELSKI, T .

PHYSICA STATUS SOLIDI, 1964, 6 (02) :429-440

[3]

FIGIELSKI T, 1974, INT SCH PHYSICS COND

GLAENZER, RH ;

JORDAN, AG .

[5]

HAASEN P, 1970, NBS317 SPEC PUBL, P1231

[6]

LABUSCH R, 1975, I PHYS C SER, V23, P56

[7]

MAGDEBURG H, 1966, Z ANGEW PHYSIK, V20, P465

[8]

MANY A, 1965, SEMICONDUCTOR SURFAC, P377

[9]

MOBIUS W, 1973, THESIS TU BERLIN

[10]

NEUBERT D, 1973, INT PHYS C, V15, P220