BUILDUP PROCESS OF FIELD-EMISSION TIP OF TUNGSTEN AND MOLYBDENUM WITH SILICON ADSORPTION

被引：0
作者：
CHANG, K [1 ]
IWATA, T [1 ]
机构：
[1] TOKAI UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECTR,ISEHARA,KANAGAWA 25911,JAPAN
来源：
ULTRAMICROSCOPY | 1979年 / 4卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1016/S0304-3991(79)80162-X
中图分类号：
TH742 [显微镜];
学科分类号：
摘要：
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页码：378 / 378
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共 2 条
[1]  
CHANG K, 1977, 7TH P INT VAC C 3RD, P2487
[2]   NUCLEATION AND GROWTH OF SILICON ON TUNGSTEN AND MOLYBDENUM IN A FIELD-EMISSION MICROSCOPE [J].
SINHA, MK ;
VENKATACHALAM, G ;
BHATIA, CS .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1975, 46 (11) :4685-4688
1