DEFECT DENSITY VARIATION WITH DEPOSITION RATE IN SNSB THIN-FILMS FROM ANNEALING STUDY OF ELECTRICAL-RESISTANCE

被引:0
作者
DAS, VD [1 ]
JAGADEESH, MS [1 ]
机构
[1] INDIAN INST TECHNOL,DEPT PHYS,THIN FILM LAB,MADRAS 600036,INDIA
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O6 [化学];
学科分类号
0703 ;
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页数:8
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