EPITAXIAL DEPOSITION OF SILICON IN NITROGEN

被引：1

作者：

GITTLER, FL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(72)90257-6

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：271 / +

页数：1

共 17 条

ALLEN, FG .

[2]

BERL WG, 1960, PHYSICAL METHODS CHE, V1, P619

[3]

BHOLA SR, 1963, RCA REV, V24, P511

[4]

BURGER RM, 1967, FUNDAMENTALS SILICON, V1, P428

[5]

BURGER RM, 1967, FUNDAMENTALS SILICON, V1, P421

CHIANG, YS ;

RICHMAN, D .

METALLURGICAL TRANSACTIONS, 1971, 2 (03) :743-&

[7] LARGE AREA SILICON JUNCTIONS BY EPITAXIAL GROWTH TECHNIQUE [J].

CHU, TL ;

GRUBER, GA .

[8]

FRANCOMBE MH, 1967, AD824785 REP

JOYCE, BA ;

BRADLEY, RR .

[10] EPITAXIAL DEPOSITION OF SILICON LAYERS BY PYROLYSIS OF SILANE [J].

MAYER, SE ;

SHEA, DE .