GROWTH AND CHARACTERIZATION OF HIGH-CURRENT DENSITY, HIGH-SPEED RESONANT-TUNNELING DIODES IN THE INAS/ALSB MATERIAL SYSTEM

被引：0

作者：

SODERSTROM, JR

MCGILL, TC

BROWN, ER

PARKER, CD

MAHONEY, LJ

YAO, JY

机构：

[1] CALTECH,APPL PHYS LAB,PASADENA,CA 91125

[2] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

[3] CHALMERS UNIV TECHNOL,DEPT PHYS,S-41296 GOTHENBURG,SWEDEN

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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