A TECHNIQUE FOR PREPARATION OF LOW-THRESHOLD ROOM-TEMPERATURE GAAS LASER DIODE STRUCTURES

被引：44

作者：

PANISH, MB

HAYASHI, I

SUMSKI, S

机构：

[1] Bell Telephone Labs., Inc., Murray Hill, N.J.

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JQE.1969.1075757

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：210 / &

共 7 条

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