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LATERAL SPREAD OF B+IONS IMPLANTED IN A SILICON SUBSTRATE THROUGH A SIO2 MASK
被引：0
作者：
KAWATA, H
SATO, T
SAKURAI, T
机构：
来源：
FUJITSU SCIENTIFIC & TECHNICAL JOURNAL
|
1978年
/
14卷
/
04期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：11
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