COMPARISON OF SELF-ALIGNED AND NON-SELF-ALIGNED GAAS E/D MESFETS

被引：0

作者：

WAN, CF

SHICHIJO, H

WHITE, WA

HUDGENS, RD

PLUMTON, DL

机构：

[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,DIV MICROWAVE TECHNOL & PROD,MICROWAVE LAB,DALLAS,TX 75265

[2] TEXAS INSTRUMENTS INC,CENT RES LABS,SYST COMPONENT LAB,DALLAS,TX 75265

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.299664

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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