INTERBAND OPTICAL TRANSITIONS IN EXTREMELY ANISOTROPIC SEMICONDUCTORS .I. BOUND AND UNBOUND EXCITON ABSORPTION

被引：477

作者：

SHINADA, M

SUGANO, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.21.1936

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1936 / &

共 18 条

[1]

AKIMOTO O, 1966, J PHYS SOC JAPAN, V21

[2]

AOYAGI K, 1966, P INT C SEMICONDUCTO

[3]

BETHE HA, 1957, QUANTUM MECHANICS ON, P22

[4] OPTICAL ABSORPTION EDGE OF GATE [J].

BREBNER, JL ;

MOOSER, E ;

FISCHER, G .

[5] OPTICAL ABSORPTION EDGE IN LAYER STRUCTURES [J].

BREBNER, JL .

[6] OPTICAL ABSORPTION EDGE OF GAS [J].

BREBNER, JL ;

FISCHER, G .

[7]

BREBNER JL, 1962, P INT C PHYS SEMICON, P760

[8]

Elliott R. J., 1963, POLARONS EXCITONS, P269

[9] INTENSITY OF OPTICAL ABSORPTION BY EXCITONS [J].

ELLIOTT, RJ .

PHYSICAL REVIEW, 1957, 108 (06) :1384-1389

ELLIOTT, RJ ;

LOUDON, R .