MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL WRITING OF PATTERNED GAAS EPILAYER STRUCTURES

被引：51
作者：
TSANG, WT
CHO, AY
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1978年 / 32卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1063/1.90097
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：491 / 493
页数：3
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共 4 条
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