ELECTRON-BEAM DEPTH PROFILING IN SEMICONDUCTORS

被引：9
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作者：
POSSIN, GE
KIRKPATRICK, CG
机构：
来源：
JOURNAL OF MICROSCOPY-OXFORD | 1980年 / 118卷 / MAR期
关键词：
D O I：
10.1111/j.1365-2818.1980.tb00275.x
中图分类号：
TH742 [显微镜];
学科分类号：
摘要：
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页数：6
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