HIGH-CONCENTRATION ARSENIC DIFFUSION IN SILICON FROM A DOPED OXIDE SOURCE

被引：15

作者：

FAIR, RB

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2404003

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1389 / &

共 22 条

[1]

ABE T, 1970, JAPAN J APPL PHYS S, V39, P88

[2]

ABE T, 1969, 1 P C SOL STAT DEV T

[3]

ADAMS RV, 1961, PHYS CHEM GLASSES-B, V2, P101

ARAI, E ;

TERUNUMA, Y .

[5] DOPED OXIDES AS DIFFUSION SOURCES .I. BORON INTO SILICON [J].

BARRY, ML ;

OLOFSEN, P .

[6] GLASS SOURCE B DIFFUSION IN SI AND SIO2 [J].

BROWN, DM ;

KENNICOTT, PR .

[7]

CUCCIA A, 1969, MAY M SOC NEW YORK

DASH, S ;

JOSHI, ML .

[9]

Elliot J.F., 1960, THERMOCHEMISTRY STEE

FAIR, RB .