STUDY OF SURFACE RECOMBINATION IN GAAS AND INP BY PICOSECOND OPTICAL TECHNIQUES

被引：61

作者：

HOFFMAN, CA ^{[1
]}

GERRITSEN, HJ ^{[1
]}

NURMIKKO, AV ^{[1
]}

机构：

[1] BROWN UNIV,DIV ENGN,PROVIDENCE,RI 02912

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 51卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.327816

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1603 / 1604

页数：2

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共 3 条

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[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1977, 30 (05) : 247 - 249
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HOFFMAN, CA
JARASIUNAS, K
GERRITSEN, HJ
NURMIKKO, AV
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1978, 33 (06) : 536 - 539
[3] Schwartz B., 1975, Critical Reviews in Solid State Sciences, V5, P609, DOI 10.1080/10408437508243518