THERMAL-OXIDATION KINETICS OF SILICON IN A STEADY ELECTRIC-FIELD IN A DRY OXYGEN ATMOSPHERE

被引：0
作者：
UGAI, YA
ANOKHIN, VZ
MITTOVA, IY
MALEVSKAYA, LA
BONDARENKO, NS
机构：
来源：
ZHURNAL FIZICHESKOI KHIMII | 1981年 / 55卷 / 10期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ; 081704 ;
摘要：
引用
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页码：2620 / 2623
页数：4
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