IS SOS READY FOR VLSI

被引：4
作者：
BOREL, J
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 19卷
关键词：
D O I：
10.7567/JJAPS.19S1.145
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：145 / 150
页数：6
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[1]  
BURNS JR, 1964, RCA REV, V25, P627
[2]  
HEIMAN FP, 1969 C PROPR UT STRU
[3]   CHARACTERISTICS AND LIMITATION OF SCALED-DOWN MOSFETS DUE TO 2-DIMENSIONAL FIELD-EFFECT [J].
MASUDA, H ;
NAKAI, M ;
KUBO, M .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1979, 26 (06) :980-986
[4]  
NISHI Y, 1976 I P ESSCIRC C T
[5]   2-MUM SILICON-GATE C-MOS-SOS TECHNOLOGY [J].
SPLINTER, MR .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1978, 25 (08) :996-1004
[6]  
TRILHE J, 1977, JES, V124, P1209
[7]  
VONDERSCHMITT BV, 1978, RCA ENG, V24, P4
1