AN ELECTROCHEMICAL P-N-JUNCTION ETCH-STOP FOR THE FORMATION OF SILICON MICROSTRUCTURES

被引：52

作者：

JACKSON, TN ^{[1
]}

TISCHLER, MA ^{[1
]}

WISE, KD ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MICHIGAN,DEPT ELECT & COMP ENGN,ELECTRON PHYS LAB,ANN ARBOR,MI 48109

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1981.25334

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：44 / 45

页数：2

共 7 条

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