A SELF-BACKGATING GAAS-MESFET MODEL FOR LOW-FREQUENCY ANOMALIES - COMMENTS

被引：0
作者：
REYNOSOHARNANDEZ, JA
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1992年 / 39卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1109/16.123509
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：750 / 750
页数：1
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共 2 条
[1]   AN ACCURATE MESFET MODEL FOR LINEAR AND MICROWAVE CIRCUIT-DESIGN [J].
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