MONOLITHICALLY INTEGRATED IN0.52AL0.48AS/IN0.53GA0.47AS MSM-HEMT RECEIVER GROWN BY OMCVD ON PATTERNED INP SUBSTRATES

被引：0

作者：

HONG, WP

CHANG, GK

BHAT, R

GIMLETT, JL

NGUYEN, CK

SASAKI, G

KOZA, M

机构：

来源：

1989 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST | 1989年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：733 / 736

页数：4

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