THE FIELD-DEPENDENCE OF CARRIER MOBILITY IN SILICON AND GERMANIUM

被引：111
作者：
PRIOR, AC
机构：
来源：
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS | 1959年 / 12卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1016/0022-3697(60)90034-2
中图分类号：
O6 [化学];
学科分类号：
0703 ;
摘要：
引用
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页码：175 / 180
页数：6
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共 4 条
[1]  
GUNN JB, 1956, J ELECTRONICS, V2, P87
[2]   MOBILITY OF HOLES AND ELECTRONS IN HIGH ELECTRIC FIELDS [J].
RYDER, EJ .
PHYSICAL REVIEW, 1953, 90 (05) :766-769
[3]   THE INFLUENCE OF INTERELECTRONIC COLLISIONS ON CONDUCTION AND BREAKDOWN IN COVALENT SEMI-CONDUCTORS [J].
STRATTON, R .
PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES, 1957, 242 (1230) :355-373
[4]  
1955, 6TH PRF1046 PURD DEP
1