DEPENDENCE OF THE MECHANISM OF FORMATION OF AUTOEPITAXIAL GAAS-LAYERS IN THE GA(CH3)3-ASH3-H2 SYSTEM ON THE ASH3 PARTIAL-PRESSURE

被引：0
作者：
KRASNOV, AA
KUDRYAVTSEV, RV
OVSETSINA, AE
PRESNYAKOVA, ZG
IVANOV, VA
机构：
来源：
INORGANIC MATERIALS | 1991年 / 27卷 / 10期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：1868 / 1870
页数：3
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共 5 条
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