MECHANISM OF CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF SILICON

被引：45
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作者：
NISHIZAWA, J
SAITO, M
机构：
来源：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1981年 / 52卷 / APR期
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(81)90196-2
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要：
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页数：6
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