MICROINDENTATION FOR FRACTURE AND STRESS-CORROSION CRACKING STUDIES IN SINGLE-CRYSTAL SILICON

被引:49
作者
WONG, B
HOLBROOK, RJ
机构
关键词
D O I
10.1149/1.2100861
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
引用
收藏
页码:2254 / 2256
页数:3
相关论文
共 16 条