IMPROVED ENHANCEMENT-DEPLETION GAAS MOSFET USING ANODIC OXIDE AS GATE INSULATOR

被引：16

作者：

COLQUHOUN, A

KOHN, E

HARTNAGEL, HL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1978.19084

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：375 / 376

页数：2

共 6 条

[1] GALLIUM ARSENIDE MOS TRANSISTORS [J].

BECKE, H ;

HALL, R ;

WHITE, J .

[2] ANODIC-OXIDATION OF GAAS IN MIXED SOLUTIONS OF GLYCOL AND WATER [J].

HASEGAWA, H ;

HARTNAGEL, HL .

[3]

KOHN E, UNPUBLISHED

[4]

KOHN E, 1976, 6TH EUR SOL STAT DEV

[5] DEPLETION-MODE GAAS MOS FET [J].

LILE, DL ;

CLAWSON, AR ;

COLLINS, DA .

[6]

WEISS B, 1976, 6TH INT S GAAS REL A, V33