MOVPE INGAAS/INP GROWN DIRECTLY ON GAAS SUBSTRATES

被引：15

作者：

DENTAI, AG ^{[1
]}

JOYNER, CH ^{[1
]}

TELL, B ^{[1
]}

ZYSKIND, JL ^{[1
]}

SULHOFF, JW ^{[1
]}

FERGUSON, JF ^{[1
]}

CENTANNI, JC ^{[1
]}

CHU, SNG ^{[1
]}

CHENG, CL ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860813

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1186 / 1188

页数：3

共 4 条

CHU, SNG ;

NAKAHARA, S ;

KARLICEK, RF ;

STREGE, KE ;

MITCHAM, D ;

JOHNSTON, WD .

[2]

CHU SNG, 1984, J ELECTROCHEM SOC, V131, P2663, DOI 10.1149/1.2115378

[3]

RAZEGHI M, 1986, 169TH EL CHEM SOC M

[4] VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH AND CHARACTERIZATION OF INP ON GAAS [J].

TENG, SJJ ;

BALLINGALL, JM ;

ROSENBAUM, FJ .