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REFRACTORY-METAL GATE PROCESSES FOR VLSI APPLICATIONS
被引：0
作者：
SHAH, P
[1
]
机构：
[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,SEMICONDUCTOR RES & ENGN LABS,DALLAS,TX 75265
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页码：C354 / C354
页数：1
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