CHARACTERISTICS OF MOSFETS FABRICATED IN LASER-RECRYSTALLIZED POLYSILICON ISLANDS WITH A RETAINING WALL STRUCTURE ON AN INSULATING SUBSTRATE

被引：50

作者：

LAM, HW

TASCH, AF

HOLLOWAY, TC

机构：

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1980年 / 1卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1980.25290

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：206 / 208

页数：3

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