AN ANALYSIS OF STATIC AND DYNAMIC BEHAVIOR OF MOS-FETS WITH INCLUSION OF SATURATION REGION

被引：0

作者：

BAUM, G

BENEKING, H

机构：

来源：

ARCHIV DER ELEKTRISCHEN UND UBERTRAGUNG | 1968年 / 22卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1 / +

页数：1

共 8 条

[1]

ARENDT A, 1967, ARCH ELEKTR UBERTRAG, V21, P669

[2] PHYSICAL THEORY OF SEMICONDUCTOR SURFACES [J].

GARRETT, CGB ;

BRATTAIN, WH .

PHYSICAL REVIEW, 1955, 99 (02) :376-387

[3]

PAUL R, 1966, NACHRICHTENTECHNIK, V16, P243

[4]

REDDI GKV, 1965, T I ELECT ELECTRON E, VED12, P139

[5]

SAH CT, 1964, T I ELECT ELECTRON E, VED11, P324

[6]

SAH CT, 1966, T IEEE, VED13, P393

[7]

SPENKE E, 1965, ELEKTRONISCHE HALBLE, P121

WRIGHT, GT .