ELECTRON MOBILITY IN HEAVILY DOPED EPITAXIAL GAAS

被引：0

作者：

GORELENOK, AT

EMELYANE.OV

OVSYUK, ZS

TSARENKO.BV

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1969年 / 2卷 / 10期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：1294 / +

页数：1

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共 4 条

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