DOMAIN PROPERTIES IN GAAS OSCILLATING AT KHZ FREQUENCIES

被引：15

作者：

DORMAN, PW

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1968年 / 56卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1968.6322

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：372 / +

页数：1

共 7 条

[1]

BARRAUD A, 1963, CR HEBD ACAD SCI, V256, P3632

[2]

BOGACHEV VS, 1967, PISMA ESKP TEOR FIZ, V6, P464

[3] ELECTRICAL TRANSIENTS IN HIGH RESISTIVITY GALLIUM ARSENIDE [J].

NORTHROP, DC ;

THORNTON, PR ;

TREZISE, KE .

[4] LOW FREQUENCY PHOTOCURRENT OSCILLATION IN HIGH RESISTIVITY GAAS [J].

SHIRAFUJI, J .

[5] FUNCTIONAL BULK SEMICONDUCTOR OSCILLATORS [J].

SHOJI, M .

SMITH, AW .

[7] CURRENT SATURATION AND OSCILLATION IN PHOTOSENSITIVE GAAS [J].

TOKUMARU, Y ;

KIKUCHI, M .