SIMPLIFIED MODEL FOR GRADED-GAP HETEROJUNCTIONS

被引：73

作者：

CHEUNG, DT ^{[1
]}

CHIANG, SY ^{[1
]}

PEARSON, GL ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD ELECTR LABS,STANFORD,CA 94305

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1975年 / 18卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(75)90058-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：263 / 266

页数：4

相关论文

共 3 条

[1] EXPERIMENTS ON GE-GAAS HETEROJUNCTIONS [J].

ANDERSON, RL .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1962, 5 (SEP-O) :341-&

[2] N-N SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS [J].

OLDHAM, WG ;

MILNES, AG .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1963, 6 (02) :121-132

[3] GRADED-GAP ALXGA1-XAS-GAAS HETEROJUNCTION [J].

WOMAC, JF ;

REDIKER, RH .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1972, 43 (10) :4129-&