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PHOTOEMISSION INVESTIGATION OF THE TEMPERATURE EFFECT ON SI-AU INTERFACES
被引:41
作者
:
ABBATI, I
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0
机构:
STANFORD UNIV, ELECTR LABS, STANFORD, CA 94305 USA
ABBATI, I
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机构:
BRAICOVICH, L
FRANCIOSI, A
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机构:
STANFORD UNIV, ELECTR LABS, STANFORD, CA 94305 USA
FRANCIOSI, A
LINDAU, I
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0
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STANFORD UNIV, ELECTR LABS, STANFORD, CA 94305 USA
LINDAU, I
SKEATH, PR
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STANFORD UNIV, ELECTR LABS, STANFORD, CA 94305 USA
SKEATH, PR
SU, CY
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STANFORD UNIV, ELECTR LABS, STANFORD, CA 94305 USA
SU, CY
SPICER, WE
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机构:
STANFORD UNIV, ELECTR LABS, STANFORD, CA 94305 USA
SPICER, WE
机构
:
[1]
STANFORD UNIV, ELECTR LABS, STANFORD, CA 94305 USA
[2]
UNIV ROME, INST FIS, I-00100 ROME, ITALY
来源
:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY
|
1980年
/ 17卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1116/1.570619
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:930 / 935
页数:6
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