PHOTON EMISSION FROM AVALANCHE BREAKDOWN IN SILICON

被引：400
作者：
CHYNOWETH, AG
MCKAY, KG
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW | 1956年 / 102卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRev.102.369
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
收藏
页码：369 / 376
页数：8
相关论文
共 8 条
[1]   INTRINSIC OPTICAL ABSORPTION IN SINGLE-CRYSTAL GERMANIUM AND SILICON AT 77-DEGREES-K AND 300-DEGREES-K [J].
DASH, WC ;
NEWMAN, R .
PHYSICAL REVIEW, 1955, 99 (04) :1151-1155
[2]  
HAYNES JR, 1952, PHYS REV, V86, P647
[3]   AVALANCHE BREAKDOWN IN SILICON [J].
MCKAY, KG .
PHYSICAL REVIEW, 1954, 94 (04) :877-884
[4]  
NEWMAN, 1955, PHYS REV, V98, P1536
[5]   VISIBLE LIGHT FROM A SILICON P-N JUNCTION [J].
NEWMAN, R .
PHYSICAL REVIEW, 1955, 100 (02) :700-703
[6]  
ROSE DJ, 1955, PHYS REV, V99, P1648
[7]  
ROSE DJ, UNPUBLISHED
[8]   THEORY OF ELECTRON MULTIPLICATION IN SILICON AND GERMANIUM [J].
WOLFF, PA .
PHYSICAL REVIEW, 1954, 95 (06) :1415-1420
1