MINIMOS-3 - A MOSFET SIMULATOR THAT INCLUDES ENERGY-BALANCE

被引：56

作者：

HANSCH, W ^{[1
]}

SELBERHERR, S ^{[1
]}

机构：

[1] VIENNA TECH UNIV,INST ALLGEMEINE ELEKTROTECH & ELEKTR,A-1040 VIENNA,AUSTRIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23047

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1074 / 1078

页数：5

共 25 条

[11]

HANSCH W, 1986, S VLSI TECHNOL, P63

[12]

HANSCH W, UNPUB

[13]

HANSCH W, 1986, SOLID STATE SCI, V67, P296

[14]

HOFFMANN KR, 1985, IEEE T ELECTRON DEV, V32, P691

[15]

JAGGI R, 1969, HELV PHYS ACTA, V42, P941

MIURAUSCH, M ;

DORDA, G .

PHYSICA B & C, 1985, 134 (1-3) :77-81

[17] THERMODYNAMIC THEORY OF HOT-ELECTRON TRANSPORT IN SILICON [J].

OHNO, Y .

[18]

PAASCH G, 1984, LADUNGSTRANSPORT INV

[19]

REGGIANI L, 1985, TOPICS APPLIED PHYSI, V58

SCHMITTLANDSIEDEL, D ;

DORDA, G .