N TYPE CONVERSION OF THERMALLY OXIDIZED SI SURFACE

被引：6

作者：

EDAGAWA, H

MAEKAWA, S

MORITA, Y

INUISHI, Y

机构：

来源：

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1962年 / 17卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.17.1190

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1190 / &

相关论文

共 2 条

[1] IMPURITY REDISTRIBUTION AND JUNCTION FORMATION IN SILICON BY THERMAL OXIDATION [J].

ATALLA, MM ;

TANNENBAUM, E .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1960, 39 (04) :933-946

[2] 1-F NOISE AND CHANNEL IN GE-PN JUNCTION [J].

KOMATSUBARA, K ;

INUISHI, Y ;

EDAGAWA, H ;

SHIBAIKE, T .

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 1960, 15 (09) :1713-1714