SECTION X-RAY TOPOGRAPHY OF DENUDED ZONES IN SILICON-WAFERS

被引：0

作者：

YANG, KH ^{[1
]}

SCHWUTTKE, GH ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,E FISHKILL LABS,HOPEWELL JUNCTION,NY 12533

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1982年 / 129卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C231 / C232

页数：2

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