ROOM-TEMPERATURE CW OPERATION OF GAINASP-INP DOUBLE-HETEROSTRUCTURE DIODE-LASERS EMITTING AT 1.23-MU-M GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：17
作者：
RAZEGHI, M
HIRTZ, JP
HIRTZ, P
LARIVAIN, JP
BONDEAU, R
DECREMOUX, B
DUCHEMIN, JP
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 17期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19810420
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：597 / 598
页数：2
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共 4 条
[1]   LOW THRESHOLD GAINASP-INP LASERS WITH GOOD TEMPERATURE-DEPENDENCE GROWN BY LOW-PRESSURE MOVPE [J].
HIRTZ, JP ;
RAZEGHI, M ;
LARIVAIN, JP ;
HERSEE, S ;
DUCHEMIN, JP .
ELECTRONICS LETTERS, 1981, 17 (03) :113-114
[2]   GAXIN1-XASVP1-V-INP DH LASER EMITTING AT 1.15 MU-M GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CVD [J].
HIRTZ, JP ;
DUCHEMIN, JP ;
HIRTZ, P ;
CREMOUX, BD ;
PEARSALL, T ;
BONNET, M .
ELECTRONICS LETTERS, 1980, 16 (08) :275-277
[3]  
HIRTZ JP, UNPUBLISHED
[4]  
RAZEGHI M, UNPUBLISHED
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