STATISTICS OF THE CHARGE DISTRIBUTION FOR A LOCALIZED FLAW IN A SEMICONDUCTOR

被引：190

作者：

SHOCKLEY, W

LAST, JT

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1957年 / 107卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.107.392

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：392 / 396

页数：5

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共 4 条

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