THE EFFECT OF A PEAK IN THE TEMPERATURE PROFILE OF THE DIFFUSION FURNACE FOR SILICON SOLAR-CELL FABRICATION

被引：1

作者：

AKHTER, P

BAIG, A

AHMED, B

MUFTI, A

机构：

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1989年 / 4卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/4/5/013

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：409 / 411

页数：3

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