EPITAXIAL-GROWTH OF GE ON LESS-THAN-100 GREATER-THAN SI BY A SIMPLE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION TECHNIQUE

被引：46

作者：

KUECH, TF ^{[1
]}

MAENPAA, M ^{[1
]}

LAU, SS ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF SAN DIEGO,LA JOLLA,CA 92093

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.92695

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：245 / 247

页数：3

共 7 条

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