Combining and matching optical, electron-beam, and x-ray lithographies in the fabrication of Si complementary metal-oxide-semiconductor circuits with 0.1 and sub-0.1 mu m features

被引：5
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作者：
Yang, IY
Silverman, S
Ferrera, J
Jackson, K
Carter, JM
Antoniadis, DA
Smith, HI
机构：
[1] Massachusetts Inst of Technology, Cambridge
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1995年 / 13卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1116/1.588257
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
Combining and matching optical, electron-beam, and x-ray lithographies in the fabrication of Si complementary metal-oxide-semiconductor circuits with 0.1 and sub-0.1 mu m features
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页码：2741 / 2744
页数：4
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