共 3 条
- [1] GROWTH OF SILICON CRYSTALS FREE FROM DISLOCATIONS[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1959, 30 (04) : 459 - 474DASH, WC
- [2] SIRTL E, 1961, Z METALLKD, V52, P529
- [3] TUROVSKII BM, 1964, KRISTALLOGRAFIYA, V9, P568
FORMATION OF DISLOCATIONS IN SILICON SINGLE CRYSTALS GROWN INITIALLY WITHOUT DISLOCATIONS
被引：0
作者：
TUROVSKI.BM
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS CRYSTALLOGRAPHY, USSR
|
1965年
/
9卷
/
04期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
引用
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页码：480 / &
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