SUBMICROMETER POLYSILICON GATE CMOS-SOS TECHNOLOGY

被引：7
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作者：
IPRI, AC
SOKOLOSKI, JC
FLATLEY, DW
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1980年 / 27卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1980.20020
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1275 / 1279
页数：5
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